超捷 相关话题

金融界2025年5月27日音问，国度常识产权局信息败露，华虹半导体（无锡）有限公司苦求一项名为“全超结功率半导体器件过头制造关节”的专利，公开号CN120050980A，苦求日历为2025年01月。 专利提要败露，本苦求波及半导体集成电路制造时刻规模，具体波及一种全超结功率半导体器件过头制造关节。全超结功率半导体器件包括：衬底层；底层外延层，底层外延层变成于衬底层上，底层外延层中变成沿第一标的轮流罗列的第一P型掺杂区和第一N型掺杂区；表层外延层，表层外延层变成于底层外延层上，表层外延层中变成沿

（原标题：超捷股份修正2024年净利预报，同比下落51.23%-61.83%） 雷达财经 文|杨洋 编|李亦辉 3月21日，超捷股份发布2024年度事迹预报修正公告。包摄于上市公司鼓动的净利润瞻望为900万元至1,150万元，比上年同期下落51.23%至61.83%。包摄于上市公司鼓动的扣除特别常性损益的净利润瞻望盈利550万元至800万元，比上年同期增长118.19%至126.46%。 事迹变动的主要原因是公司在探讨扣除特别常性损益后的净利润时，将升值税加计抵减金额约393万元列入特别常性损

金融界2024年12月21日音信，国度常识产权局信息瓦解，深圳市森国科科技股份有限公司恳求一项名为“一种超结MOSFET器件及制备圭臬”的专利，公开号CN119153531A，恳求日历为2024年11月。 专利摘抄瓦解，本发明波及MOSFET器件期间鸿沟，尤其波及一种超结MOSFET器件及制备圭臬，该器件包括：衬底、M层外延层、甘休层、阱区、源极金属层、栅极和漏极金属层；M层外延层位于衬底之上；甘休层位于M层外延层之上甘休层内的独揽两个区域差别设有一个阱区；源极金属层和栅极均位于甘休层之上，源